Работа в компании ГБПОУ ПТ №47 в Москве, вакансии ГБПОУ ПТ №47 на Superjob
Работа в компании ГБПОУ ПТ №47 в Москве, вакансии ГБПОУ ПТ №47 на Superjob””””””””””””””””””””””””””””””Ваш браузер устарел. Сайт может отображаться некорректно
Обновить браузер
Москва
Ваш город Москва?
+7 495 790 72 77
Вход
Регистрация
Клиент SuperJob с 2013 года
Поделиться
Более 50 сотрудников
В компании нет открытых вакансий
Описание
Вакансии
Государственное бюджетное образовательное учреждение среднего профессионального образования Политехнический техникум № 47 имени В. Г. Федорова.
Заявите о желании работать в компании
Сайт и соцсети
politech57.mskobr.ru
Подпишитесь на вакансии компанииКак только в компании появятся вакансии, мы пришлем вам письмо на почту
Похожие компании
Образовательный комплекс “Юго-Запад”
6 вакансий
Колледж Москва
9 вакансий
ГБПОУ “Московское среднее специальное училище олимпийского резерва №1 (техникум)” Департамента спорта города Москвы
8 вакансий
Подходящие вакансии
Сегодня в 3:57
Специалист по охране труда
от 35 000 ₽/месяц
Добавить в избранное
Зубарев Александр Михайлович
Абакан
Осуществляет контроль.
За соблюдением работниками организации норм и правил охраны труда, пожарной безопасности, применения…
Скрыть
Сегодня в 3:56
Ведущий экономист отдела труда и мотивации
до 170 000 ₽/месяц
Добавить в избранное
Золото Селигдара
Благовещенск (Амурская область)
Годовое планирование бюджета в части ФОТ. План-факторный анализ исполнения бюджета по ФОТ. Расчет влияния изменения мотивации…
Экономическое образование. Опыт работы на соответствующей должности
Скрыть
Сегодня в 3:55
Пропитчик электротехнических изделий
По договорённости
Добавить в избранное
АЛРОСА
Удачный
Отклик без резюме
Опыт не нужен
Соблюдать требования охраны труда и промышленной безопасности. Соблюдать требования личной гигиены и производственной санитарии
Скрыть
Сегодня в 3:55
Продавец-кассир (Ульяновск, Мелекесский 1-й, 118)
24 000 — 32 000 ₽/месяц
Добавить в избранное
Пятёрочка
Ульяновск
Работа за кассой и в торговом зале.
Консультация покупателей. Выкладка и отслеживание сроков годности товаров
Желание работать с покупателями, остальному научим. ПРИВЕТСТВУЕТСЯ АНАЛОГИЧНЫЙ ОПЫТ РАБОТЫ В СЕТЕВЫХ КОМПАНИЯХ
Смотрят
14
человек
Скрыть
Сегодня в 3:55
Продавец-консультант
от 29 200 ₽/месяц
Добавить в избранное
Магнит, Розничная сеть
Нижний Новгород
Отклик без резюме
Опыт не нужен
Выкладка товара в соответствии со стандартами. Контроль сроков годности и качества продукции. Установка и актуализация ценников
Образование не ниже полного среднего
Скрыть
Сегодня в 3:52
Грузчик
до 36 000 ₽/месяц
Добавить в избранное
МЕГАПОЛИС
7.1
Благовещенск (Амурская область)
Работа на складе табачной продукции.
Прием и разгрузка продукции. Перемещение товара на территории склада
Готовность к физическим нагрузкам. Ответственность, внимательность. Наличие военного билета или приписного обязательно!(для…
Скрыть
Сегодня в 3:47
Начальник отдела объектового контроля
от 60 000 ₽/месяц
Добавить в избранное
ФОРЕСТГРАНД
Спасск-Дальний
Организация системы охраны и контроля объекта. Осуществление подбора и ротации сотрудников подразделения. Подготовка и проверка…
Опыт работы на руководящей должности не менее 3-х лет
Скрыть
Сегодня в 3:45
Продавец-консультант
от 40 000 ₽/месяц
Добавить в избранное
Компания “Сотовый мир”
Опыт не нужен
Консультировать клиентов. Продавать мобильные телефоны, смартфоны, планшеты, аксессуары и услуги. Участвовать в различных…
Желание работать и зарабатывать. Желание учиться и развиваться. Грамотная речь и позитивное отношение к людям. Тебе нравятся…
Смотрят
17
человек
Скрыть
Сегодня в 3:39
Фельдшер (вахта)
от 70 000 ₽/месяц
Добавить в избранное
Еклиник
Хабаровск
Опыт не нужен
Вахта
Оказание первичной доврачебной медико-санитарной помощи.
Проведение предрейсовых/послерейсовых, предсменных/послесменных…
Наличие диплома фельдшера по специальности “лечебное дело” и действующего сертификата “лечебное дело”. Наличие сертификата…
Скрыть
Сегодня в 3:37
Ведущий экономист
80 000 — 120 000 ₽/месяц
Добавить в избранное
Артель старателей “Дражник”
Барнаул
Расчет плановой численности, план-факторный анализ. Определение производительности труда. Разработка и внедрение технически…
Опыт аналогичной работы от года. Высшее образование. ПК – Уверенный пользователь. Свободное владение программами: Excel,…
Скрыть
Сегодня в 3:31
Водитель карьерного самосвала (LGMG).СРОЧНО
от 140 000 ₽/месяц
Добавить в избранное
Глобал Майнинг
Хабаровск
Транспортировка горной массы. Техническое обслуживание автомобиля
Опыт не менее 3 лет. Водительское удостоверение с категорией “А III”
Смотрят
13
человек
Скрыть
Сегодня в 3:30
Специалист АХО
до 50 000 ₽/месяц
Добавить в избранное
Управляющая компания «Бамстроймеханизация»
Опыт не нужен
Организация и контроль поддержания в работоспособном состоянии всех инженерных систем в помещениях: электрохозяйство (освещение…
Обязателен опыт.
Хозяйственного обеспечения деятельности организации. Рассматриваем кандидатов: Физически крепких, без алкогольной…
Скрыть
Сегодня в 3:25
Ветеринарный врач
от 70 000 ₽/месяц
Добавить в избранное
ГК “Сфера Менеджмент” (Грин Агро)
Уссурийск
Проводит осмотр животных и диагностирование их болезней и повреждений. Проводит ветеринарно-санитарную экспертизу скота. Контролирует…
Высшее профильное образование ветеринарного врача. Примечание желателен опыт работы с КРС от 1 года
Скрыть
Сегодня в 3:24
Наборщик-комплектовщик
40 000 — 45 000 ₽/месяц
Добавить в избранное
Перспектива-ДВ
Хабаровск
Опыт не нужен
Будьте первым
Выгрузка ТМЦ ( в том числе ручная). Принятие ТМЦ в хранение с помощью ТСД. Размещение ТМЦ на складе с учетом адресной системы…
Внимательность, исполнительность, аккуратность. Предпочтение кандидатам с навыками работы с терминалом сбора данных
Скрыть
Сегодня в 3:23
Слесарь по сборке металлоконструкций
от 90 000 ₽/месяц
Добавить в избранное
Эксперт
Краматорск
Будьте первым
Вахта
Работа на сборке металлоконструкций
Документальное подтверждение опыта работы.
Опыт работы. Опыт работы с ручной сваркой
Скрыть
Соискателям
- Создать резюме
- Поиск работы
- Работа для студентов
- Советы
- Каталог профессий
- Конструктор резюме
- Cписок компаний по индустриям
- Зарплаты по профессиям
- Курсы
- Каталог кадровых агентств
Работодателям
- Разместить вакансию
- Поиск сотрудников
- Стажировки
- Тарифы
- Советы для работодателей
- Каталог резюме
Партнерам
- Реклама на сайте
- Реклама вакансий
- Интеграционные сервисы
- Логотип SuperJob
SuperJob
- О компании
- Новости сервиса
- Работа в Superjob
- Исследования
- Зарплатомер
- Профориентация
- Калькуляторы
- Карта сайта
Документы
- База данных SuperJob
- Услуги
- База данных Поиск услуг
- Рекламный кабинет
- Агрегатор образовательных курсов
- Иные документы
Поиск работыПоиск сотрудниковПроизводственный календарь
© 2000–2023 SuperJob
Мы используем cookies, чтобы улучшить сайт для вас.
Подробнее
Политехнический техникум №47 имени В. Г. Федорова
Московский политехнический техникум №47 им. В.Г Федорова находится на северо-западе Москвы, вблизи станции метро «Сходненская». Одним из на-правлений Техникума является подготовка рабочих и специалистов среднего звена в области металлообработки.
Для того чтобы придать изделию необходимые формы или подготовить его к последующим технологическим операциям используется специальный техноло-гический процесс – металлообработка. Услуги по изготовлению и производству металлических изделий не потеряли своей актуальности с появлением мобиль-ных электрических устройств для выполнения самостоятельных работ. Процесс срезания специальными режущими инструментами с той или иной поверхности материала для получения необходимой формы принято называть механической обработкой.
д. Нужный уровень деформации при обработке материала обеспечивается посредством режущего инструмента, от его геометрии и конст-рукции зависит качество обработки, ее производительность и себестоимость. Всему этому обучают в нашем техникуме.В Техникуме имеется современное оборудование по обработке металла: уни-версальные токарные, фрезерные станки, станки фрезерной и токарной группы с ЧПУ производства фирмы HAAS (США), длинномерный станок для изготовле-ния валов до 6 м, установка гидроабразивной резки металла, сварочный пост.
Современно оборудованные производственные мастерские, лучшие мастера и специалисты, обученные студенты позволило техникуму создать студенче-ский отряд «Сталь» и в свободное от учёбы время оказывать предприятиям Мо-сквы, Московской области и населению услуги по изготовлению деталей из ме-талла. На сегодня выполняются высококачественные работы по изготовлению заказов из различных видов стали: углеродистой, нержавеющей, оцинкованной, а также, из алюминия, чугуна, латуни, различных полимерных материалов.
Услуги выполняются как из материалов заказчика, так и из собственного ма-териала. Среди перечня изготовленных деталей есть простые детали массового производства, такие как болты, шпильки, винты, штифты и сложные детали, та-кие как тарельчатые шайбы, валы, балки, втулки, радиаторы. Наши расценки на услуги не превышают среднерыночные, при этом техникум является надёжным партнёром, гибко и внимательно работающим в соответствии с потребностями каждого клиента.
Подбор специалистов высокой квалификации позволяет техникуму разра-батывать проектную документацию и пробные партии образцов деталей заказчи-ка, писать управляющие программы для станков с ЧПУ, выстраивать техноло-гическую цепочку.Получить гарантию надлежащего уровня обработки металлического изделия, а также соответствие современным производственным условиям можно лишь в том случае, когда металлообработка проводится на заказ.
Только в нашем техникуме вы получите не только деталь любого уровня сложности, но и полное соответствие вашему заказу.
Услуги по осуществлению технологического процесса металлообработки в техникуме проводится достаточно долго. Выполненные многочисленные зака-зы, получили отличную репутацию, подтвержденную качеством и оперативно-стью их выполнения. А приобретенный опыт и работа высококвалифицирован-ных профессионалов позволили собрать постоянных клиентов на оказание услуг в отрасли металлообработки.
Обработку металлических изделий в техникуме можно назвать творческим процессом, в результате которого производятся:
• разнообразные металлоконструкции,
• сборочные узлы и прочее.
Есть и такие детали, которые сложно найти именно в том виде, который не-обходим для использования. такой вид работы может быть только профессиона-лами. В нашем техникуме вы получите не только соблюдение сроков и эконо-мию времени, но и отличное качество.
Территория техникума имеет отдельный въезд, площадку для складирования материала, круглосуточную охрану, видеонаблюдение, освещение в ночное вре-мя.
Для более полной демонстрации возможностей техникума и налаживания контактов с заказчиками создан сайт metpromlab.ru:
пишите, звоните, приезжайте, мы будем рады Вам!
Роман
27 мая
Оценка
Рентгенофазовый анализ фазы вюрцита в выращенных МЛЭ самокаталитических нанопроволоках GaP
1. Jacobsson D., Panciera F., Tersoff J., Reuter M.
C., Lehmann S., Hofmann F.P.S., Dick K.A., Ross F.M. Динамика интерфейса и фазовое переключение кристалла в нанопроволоках GaAs. Природа. 2016; 531:317–322. doi: 10.1038/nature17148. [PMC free article] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
2. Панциера Ф., Бараисов З., Патриарх Г., Дубровский В.Г., Глас Ф., Трэверс Л., Мирсаидов Ю., Харманд Дж.- С. Фазовый отбор в самокатализируемых нанопроволоках GaAs. Нано Летт. 2020;20:1669–1675. doi: 10.1021/acs.nanolett.9b04808. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
3. Гудовских А., Зеленцов К., Баранов А., Кудряшов Д., Морозов И., Никитина Е., Клейдер Ж.-П. Исследование солнечных элементов с гетеропереходом GaP/Si. Энергетическая процедура. 2016;102:56–63. doi: 10.1016/j.egypro.2016.11.318. [CrossRef] [Google Scholar]
4. Большаков А.Д., Федоров В.В., Сибирев Н.В., Фетисова М.В., Моисеев Е.И., Крыжановская Н.В., Коваль О.Ю., Убивовк Е.В., Можаров А.М., Цирлин Г.Е., и др. Рост и определение характеристик нанопроволочных гетероструктур GaP/GaPAs с контролируемым составом.
физ. Status Solidi (RRL) Rapid Res. лат. 2019;13:1
5. Генри Ч.Х. Предельная эффективность идеальных наземных солнечных элементов с одной и несколькими энергетическими щелями. Дж. Заявл. физ. 1980; 51:4494–4500. doi: 10.1063/1.328272. [CrossRef] [Google Scholar]
6. Пихтин А. Н., Хегази Х. Х. Край фундаментального поглощения полупроводниковых сплавов с прямозонной структурой энергетических зон. Полупроводники. 2009;43:1259–1266. doi: 10.1134/S1063782609100029. [Перекрестная ссылка] [Академия Google]
7. Гальдер Н.Н., Келрих А., Коэн С., Риттер Д. Чистые нанопроволоки GaP из вюрцита, выращенные на подложках из цинковой обманки GaP методом селективной эпитаксии из паровой жидкости и твердого тела. Нанотехнологии. 2017;28:465603. doi: 10.1088/1361-6528/aa8b60. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
8. Ассали С.С., Ленеманн Й., Ву Т.Т.Т., Йонс К.Д., Гальяно Л.Л., Верхейен М.М., Акопян Н.Н., Баккерс Э.
П.А. Кристаллическая фазовая эмиссия квантовой ямы с цифровым управлением. Нано Летт. 2017;17:6062–6068. doi: 10.1021/acs.nanolett.7b02489. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
9. Брейер С., Пфюллер С., Флисиковски Т., Брандт О., Гран Х.Т., Гилхаар Л., Рихерт Х. Пригодность Au- и Самопомощь нанопроволоки GaAs для оптоэлектронных приложений. Нано Летт. 2011;11:1276–1279. doi: 10.1021/nl104316t. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
10. Da Silva B.C., Couto O.D.D., Obata HT, De Lima M.M., Bonani F.D., De Oliveira CE, Sipahi GM, Iikawa F., Cotta M.A. Ширина запрещенной зоны вюртцита фосфида галлия. науч. Отчет 2020; 10: 1–7. дои: 10.1038/s41598-020-64809-4. [PMC free article] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
11. Ассали С.С., Зардо И.И., Плиссар С.С., Кригнер Д., Верхейен М.М., Бауэр Г., Мейеринк А., Белаббес А., Бехстедт Ф. , Haverkort J.E.M., et al. Нанопроволоки из фосфида галлия и вюрцита с прямой запрещенной зоной. Нано Летт. 2013;13:1559–1563.
doi: 10.1021/nl304723c. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
12. Гальяно Л., Белаббес А., Албани М., Ассали С., Верхейен М.А., Миглио Л., Бехштедт Ф., Хаверкорт Дж.Э.М., Баккерс Э.П.А.М. Псевдопрямой переход к прямому композиционному кроссоверу в вюрците GaP/In x Ga 1–x P Нанопроволоки ядро-оболочка. Нано Летт. 2016;16:7930–7936. doi: 10.1021/acs.nanolett.6b04242. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
13. Im H.S., Park K., Kim J., Kim D., Lee J., Lee J.A., Park J., Ahn J.-P. Картирование деформации и рамановская спектроскопия изогнутых нанопроволок GaP и GaAs. АСУ Омега. 2018;3:3129–3135. doi: 10.1021/acsomega.8b00063. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
14. Малиаккал С.Б., Гокхале М., Пармар Дж., Бапат Р.Д., Чалке Б.А., Гош С., Бхаттачарья А. Рост, структурная и оптическая характеристика вюрцитные нанопроволоки GaP. Нанотехнологии. 2019;30:254002. doi: 10.1088/1361-6528/ab0a46. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
15.
Huang K., Zhang Z., Zhou Q., Liu L., Zhang X., Kang M., Zhao F., Lu X., Gao X., Лю Дж. Катализированные серебром нанопроволоки из фосфида галлия, интегрированные в кремний и переход запрещенной зоны, индуцированный сплавом Ag in situ. Нанотехнологии. 2015;26:255706. doi: 10.1088/0957-4484/26/25/255706. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
16. Большаков А.Д., Можаров А.М., Сапунов Г.А., Федоров В.В., Дворецкая Л.Н., Мухин И.С. Теоретическое моделирование самокаталитического роста нанопроводов: режимы ограничения зародышеобразования и адсорбции. Матер. Рез. Выражать. 2017;4:125027. дои: 10.1088/2053-1591/аа9е9д. [CrossRef] [Google Scholar]
17. Тамбе М.Дж., Рен С., Градечак С. Влияние диффузии золота на легирование n-типа нанопроводов GaAs. Нано Летт. 2010;10:4584–4589. doi: 10.1021/nl102594e. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
18. Переа Д.Э., Аллен Дж.Э., Мэй С.Дж., Весселс Б.В., Сейдман Д.Н., Лаухон Л.Дж. Трехмерное наномасштабное картирование состава полупроводниковых нанопроводов.
Нано Летт. 2006; 6: 181–185. doi: 10.1021/nl051602p. [PubMed] [CrossRef] [Академия Google]
19. Assali S., Greil J., Zardo I., Belabbes A., De Moor M.W.A., Koelling S., Koenraad P.M., Bechstedt F., Bakkers E.P.A.M., Haverkort J.E.M. Оптическое исследование зонной структуры вюртцитных нанопроволок GaP. Дж. Заявл. физ. 2016;120:044304. doi: 10.1063/1.4959147. [CrossRef] [Google Scholar]
20. Акопян Н., Патриарх Г., Лю Л., Харманд Дж.-К., Цвиллер В. Кристаллофазовые квантовые точки. Нано Летт. 2010;10:1198–1201. doi: 10.1021/nl903534n. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
21. Кумагаи М., Чуанг С.Л., Андо Х. Аналитические решения блочно-диагонального гамильтониана для напряженных полупроводников из вюрцита. физ. Преп. Б. 1998;57:15303–15314. doi: 10.1103/PhysRevB.57.15303. [CrossRef] [Google Scholar]
22. Такаги Ю., Фурукава Ю., Вакахара А., Кан Х. Процесс релаксации решетки и кристаллографический наклон в слоях GaP, выращенных на разориентированных подложках Si(001) методом газофазной эпитаксии металлоорганических соединений.
Дж. Заявл. физ. 2010;107:63506. doi: 10.1063/1.3310479. [CrossRef] [Google Scholar]
23. Летублон А., Го В., Корнет С., Буль А., Верон М., Бонди А., Дюран О., Рохель Т., Деэз О., Шевалье Н. , и другие. Рентгеновское исследование антифазных доменов и их стабильности в GaP, выращенном МЛЭ на Si. Дж. Крист. Рост. 2011;323:409–412. doi: 10.1016/j.jcrysgro.2010.10.137. [CrossRef] [Google Scholar]
24. Rietveld H.M. Линейчатые профили пиков порошковой дифракции нейтронов для уточнения структуры. Акта Кристаллогр. 1967; 22: 151–152. doi: 10.1107/S0365110X67000234. [CrossRef] [Google Scholar]
25. Okumura H., Akane T., Tsubo Y., Matsumoto S. Сравнение традиционных методов очистки поверхности для Si молекулярно-лучевой эпитаксии. Дж. Электрохим. соц. 1997; 144:3765–3768. doi: 10.1149/1.1838088. [Перекрестная ссылка] [Академия Google]
26. Zi Y., Suslov S., Yang C. Понимание самокаталитического эпитаксиального роста нанопроволок III–V в направлении контролируемого синтеза.
Нано Летт. 2017;17:1167–1173. doi: 10.1021/acs.nanolett.6b04817. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
27. Сутурин С.М., Коровин А.М., Федоров В.В., Вальковский Г.А., Табучи М., Соколов Н.С. Усовершенствованный метод трехмерного картирования ДБЭО для дифракционного исследования эпитаксиальных гетероструктур Co/MnF2/CaF2/Si(001). Дж. Заявл. Кристаллогр. 2016;49:1532–1543. doi: 10.1107/S1600576716011407. [Перекрестная ссылка] [Академия Google]
28. Сутурин С.М., Федоров В.В., Коровин А.М., Соколов Н.С., Нащекин А.В., Табучи М. Эпитаксиальные наночастицы никеля на поверхностях CaF2(001), (110) и (111), изученные методами трехмерных ДБЭО, GIXD и GAXS -технологии космической картографии. Дж. Заявл. Кристаллогр. 2017;50:830–839. doi: 10.1107/S160057671700512X. [CrossRef] [Google Scholar]
29. Сутурин С.М., Федоров В.В., Коровин А.М., Вальковский Г.А., Конников С.Г., Табучи М., Соколов Н.С. Взгляд внутрь эпитаксиальных наночастиц кобальта на флюорите с трехмерным отображением обратного пространства с использованием GIXD, RHEED и GISAXS.
Дж. Заявл. Кристаллогр. 2013; 46: 874–881. дои: 10.1107/S0021889813008777. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
30. McCusker L.B., Von Dreele R.B., Cox D.E., Louër D., Scardi P. Rietveld, рекомендации по уточнению. Дж. Заявл. Кристаллогр. 1999; 32:36–50. doi: 10.1107/S0021889898009856. [CrossRef] [Google Scholar]
31. Furman J., Gundiah G., Page K., Pizarro N., Cheetham A. Локальная структура и фотолюминесценция с временным разрешением наночастиц YAG, приготовленных из эмульсии. хим. физ. лат. 2008; 465: 67–72. doi: 10.1016/j.cplett.2008.090,045. [CrossRef] [Google Scholar]
32. Макиура Р., Йонемура Т., Ямада Т., Ямаути М., Икеда Р., Китагава Х., Като К., Таката М. Регулируемая по размеру стабилизация суперионной фазы до комнатной температуры в покрытых полимером наночастицах AgI. Нац. Матер. 2009; 8: 476–480. doi: 10.1038/nmat2449. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
33. Rietveld H.M. Метод уточнения профиля для ядерных и магнитных структур.
Дж. Заявл. Кристаллогр. 1969; 2: 65–71. doi: 10.1107/S002188986
34. Roisnel T., Rodríquez-Carvajal J. WinPLOTR: инструмент Windows для анализа порошковых дифрактограмм. Матер. науч. Форум. 2001; 378–381: 118–123. doi: 10.4028/www.scientific.net/MSF.378-381.118. [CrossRef] [Google Scholar]
35. Попович С. Количественный фазовый анализ с помощью рентгеновской дифракции — методы легирования и их применение. Кристаллы. 2020;10:27. doi: 10.3390/cryst10010027. [CrossRef] [Google Scholar]
36. Clavier N., Szenknect S., Costin D.T., Mesbah A., Ravaux J., Poinssot C., Dacheux N. Очистка твердых растворов ураноторита из многофазных систем. Дж. Нукл. Матер. 2013; 441:73–83. doi: 10.1016/j.jnucmat.2013.05.032. [Перекрестная ссылка] [Академия Google]
37. Wenk H.-R., Lutterotti L., Kaercher P., Kanitpanyacharoen W., Miyagi L., Vasin R. Rietveld Анализ текстуры по изображениям синхротронной дифракции. II. Сложные многофазные материалы и эксперименты с алмазными наковальнями.
Порошок Дифф. 2014;29:220–232. doi: 10.1017/S0885715614000360. [CrossRef] [Google Scholar]
38. Mazzoni A., Conconi M.S. Изучение реакций карбонитрации диоксида циркония. Синтез фаз Zr(C,N,O) и оксинитридов циркония β-типа. Керам. Междунар. 2004; 30:23–29. дои: 10.1016/S0272-8842(03)00057-9. [CrossRef] [Google Scholar]
39. Коваль О.Ю., Федоров В.В., Большаков А.Д., Федина С.В., Кочетков Ф.М., Неплох В., Сапунов Г.А., Дворецкая Л.Н., Кириленко Д.А., Штром И.В., и др. Структурные и оптические свойства самокатализируемых аксиально-гетероструктурированных нанопроволок GaPN/GaP, встроенных в гибкую силиконовую мембрану. Наноматериалы. 2020;10:2110. doi: 10.3390/nano10112110. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
40. Терсофф Дж. Стабильный самокаталитический рост нанопроволок III–V. Нано Летт. 2015;15:6609–6613. doi: 10.1021/acs.nanolett.5b02386. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
41. Zhuang Q.D., Anyebe E.A., Sánchez A.M., Rajpalke M.
K., Veal T.D., Zhukov A., Robinson B.J., Anderson F., Kolosov O., Fal’ko V. Graphitic платформа для самокаталитического роста нанопроволок InAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Наномасштаб Res. лат. 2014;9:321. doi: 10.1186/1556-276X-9-321. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
42. Планте М., Лапьер Р. Механизмы роста нанопроволок GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии с газовым источником. Дж. Крист. Рост. 2006;286:394–399. doi: 10.1016/j.jcrysgro.2005.10.024. [CrossRef] [Google Scholar]
43. Сибирев Н.В., Федоров В.В., Кириленко Д.А., Убийвовк Е.В., Бердников Ю.С., Большаков А.Д., Мухин И.С. Исследование стабилизации кристаллической фазы вюрцита в гетероструктурированных нанопроволоках Ga(As,P). Полупроводники. 2020; 54: 1862–1865. doi: 10.1134/S1063782620140286. [CrossRef] [Google Scholar]
44. Акияма Т., Накамура К., Ито Т. Структурная стабильность и электронная структура нанопроволок InP: роль поверхностных оборванных связей на гранях нанопроволоки.
физ. Ред. Б. 2006; 73:235308. doi: 10.1103/PhysRevB.73.235308. [Перекрестная ссылка] [Академия Google]
45. Акияма Т., Сано К., Накамура К., Ито Т. Эмпирический потенциальный подход к политипизму вюртцит-цинк-обманка в полупроводниковых нанопроволоках группы III-V. Япония. Дж. Заявл. физ. 2006; 45: L275–L278. doi: 10.1143/JJAP.45.L275. [CrossRef] [Google Scholar]
46. Дубровский В.Г., Сибирев Н.В., Гальдер Н.Н., Риттер Д. Классификация морфологии и родственных кристаллических фаз нанопроволок III–V на основе анализа поверхностной энергии. Дж. Физ. хим. C. 2019; 123:18693–18701. doi: 10.1021/acs.jpcc.9б05028. [CrossRef] [Google Scholar]
47. Hijazi H., Dubrovsky V.G., Monier G., Gil E., Leroux C., Avit G., Trassoudaine A., Bougerol C., Castellucci D., Robert-Goumet C. ., и другие. Влияние кремния на скорость зарождения нанопроволок GaAs на кремниевых подложках. Дж. Физ. хим. C. 2018; 122:19230–19235. doi: 10.1021/acs.jpcc.8b05459. [CrossRef] [Google Scholar]
48.
Хенке Б.Л., Гулликсон Э.М., Дэвис Дж.К. Взаимодействие рентгеновских лучей: фотопоглощение, рассеяние, пропускание и отражение при E = 50–30 000 эВ, Z = 1–92. У. Нукл данных Таблицы данных. 1993; 54: 181–342. doi: 10.1006/adnd.1993.1013. [CrossRef] [Google Scholar]
49. Bao J., Bell D.C., Capasso F., Wagner J.B., Mårtensson T., Trägårdh J., Samuelson L. Оптические свойства вращательно двойниковых гетероструктур InP Nanowire. Нано Летт. 2008; 8: 836–841. doi: 10.1021/nl072921e. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
50. Фостер Л. М. Критерий параметра решетки для пробелов смешиваемости в псевдобинарных твердых растворах III–V и II–VI. Дж. Электрохим. соц. 1974;121:1662–1665. дои: 10.1149/1.2401764. [CrossRef] [Google Scholar]
51. Huy V.P.H., So S., Kim I.T., Hur J. Самовосстанавливающийся фосфид галлия, внедренный в гибридную матрицу для высокоэффективных литий-ионных аккумуляторов. Материя накопления энергии. 2021; 34: 669–681. doi: 10.1016/j.ensm.2020.11.003. [CrossRef] [Google Scholar]
52.
Перссон К. Материалы Данные по GaP (SG:186) от Materials Project. [(по состоянию на 29 сентября 2020 г.)]; 2014 г. Доступно в Интернете: https://materialsproject.org/materials/mp-8882/
53. Лазарев С., Йоранссон Д.Дж.О., Боргстрём М., Мессинг М.Е., Сюй Х.К., Джигаев Д., Ефанов О.М., Бауэр С., Баумбах Т., Фейденханс Р. и др. Выявление дислокаций несоответствия в нанопроволоках InAs x P 1−x -InP ядро–оболочка методом рентгеновской дифракции. Нанотехнологии. 2019;30:505703. doi: 10.1088/1361-6528/ab40f1. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
Стимулированный легирующей примесью наноструктур, подобных нанотрубкам GaN, на Si(111) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
1. Chen C-Y, Zhu G, Hu Y, Yu J-W, Song J, Cheng K Y, Peng L-H, Chou L-J, Wang Z L. ACS Nano. 2012; 6: 5687–569.2. doi: 10.1021/nn301814w. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
2. Чернычева М., Лавенус П., Чжан Х., Бабичев А.В., Якопин Г., Шахмохаммади М., Жюльен Ф.Х., Цехонски Р.
, Вескови Г., Крылюк О. Нано Летт. 2014;14:2456–2465. doi: 10.1021/nl5001295. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
3. Бертнесс К.А., Сэнфорд Н.А., Давыдов А.В. IEEE J Sel Top Quantum Electron. 2011; 17:847–858. doi: 10.1109/JSTQE.2010.2082504. [CrossRef] [Google Scholar]
4. Henneghien A-L, Tourbot G, Daudin B, Lartigue O, Desieres Y, Gérard J-M. Выбрать Экспресс. 2011;19: 527–539. doi: 10.1364/OE.19.000527. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
5. Kuykendall TR, Schwartzberg AM, Aloni S. Adv Mater. 2015;27:5805–5812. doi: 10.1002/adma.201500522. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
6. Zhao S, Connie AT, Dastjerdi MHT, Kong XH, Wang Q, Djavid M, Sadaf S, Liu XD, Shih I, Guo H, et al. Научный доклад 2015; 5:8332. doi: 10.1038/srep08332. [PMC free article] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
7. Цирлин Г.Е., Дубровский В.Г., Самсоненко Ю.Б., Буравлев А.Д., Дурос К., Проскуряков Ю.Ю., Мендес Б., Боуэн Л., Калитеевский М.А., Абрам Р.А., и другие. Phys Rev B.
2010; 82:035302. doi: 10.1103/PhysRevB.82.035302. [Перекрестная ссылка] [Академия Google]
8. Songmuang R, Landré O, Daudin B. Appl Phys Lett. 2007;91:251902. doi: 10.1063/1.2817941. [CrossRef] [Google Scholar]
9. Можаров А., Большаков А., Цирлин Г., Мухин И. Phys Status Solidi RRL. 2015; 9: 507–510. doi: 10.1002/pssr.201510241. [CrossRef] [Google Scholar]
10. Roelkens G, van Campenhout J, Brouckaert J, van Thourhout D, Baets R, Rojo Romeo P, Regreny P, Kazmierczak A, Seassal C, Letartre X, et al. Матер сегодня. 2007;10:36. doi: 10.1016/S1369-7021(07)70178-5. [Перекрестная ссылка] [Академия Google]
11. Li J Y, Chen X L, Qiao Z Y, Cao Y G, Li H. J Mater Sci Lett. 2001; 20:1987–1988. doi: 10.1023/A:1013155323435. [CrossRef] [Google Scholar]
12. Инь Л-В, Бандо Ю, Чжу Ю-К, Гольберг Д, Инь Л-В, Ли М-С. Appl Phys Lett. 2004;84:3912. дои: 10.1063/1.1741026. [CrossRef] [Google Scholar]
13. Liu B, Bando Y, Tang C, Shen G, Golberg D, Xu F. Appl Phys Lett.
2006;88:93120. doi: 10.1063/1.2182065. [CrossRef] [Google Scholar]
14. Goldberger J, He R, Zhang Y, Lee S, Yan H, Choi HJ, Yang P. Nature. 2003;422:599. doi: 10.1038/nature01551. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
15. Schuster F, Hetzl M, Weiszer S, Garrido J A, de la Mata M, Magen C, Arbiol J, Stutzmann M. Nano Lett. 2015;15:1773–1779. doi: 10.1021/nl504446r. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
16. Park Y S, Lee G, Holmes M J, Chan CCS, Reid B PL, Alexander-Webber J A, Nicholas R J, Taylor R, Kim K S, Han S W, et al. Нано Летт. 2015;15:4472–4476. doi: 10.1021/acs.nanolett.5b00924. [PubMed] [CrossRef] [Академия Google]
17. Fortuna SA, Li X. Semicond Sci Technol. 2010;25:024005. doi: 10.1088/0268-1242/25/2/024005. [CrossRef] [Google Scholar]
18. Cheze C, Geelhaar L, Trampert A, Riechert H. Appl Phys Lett. 2010;97:043101. doi: 10.1063/1.3464956. [CrossRef] [Google Scholar]
19. Fernández-Garrido S, Kaganer V M, Sabelfeld K K, Gotschke T, Grandal J, Calleja E, Geelhaar L, Brandt O.
Nano Lett. 2013;13:3274–3280. doi: 10.1021/nl401483e. [PubMed] [CrossRef] [Академия Google]
20. Гомеш У.П., Эрколани Д., Сибирев Н.В., Гемми М., Дубровский В.Г., Бельтрам Ф., Сорба Л. Нанотехнологии. 2015;26:415604. doi: 10.1088/0957-4484/26/41/415604. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
21. Yoshizawa M, Kikuchi A, Mori M, Fujita N, Kishino K. Jpn J Appl Phys. 1997;36:L459. doi: 10.1143/JJAP.36.L459. [CrossRef] [Google Scholar]
22. Calarco R, Meijers RJ, Debnath RK, Stoica T, Sutter E, Lüth H. Nano Lett. 2007; 7: 2248–2251. doi: 10.1021/nl0707398. [PubMed] [CrossRef] [Академия Google]
23. Consonni V, Knelangen M, Geelhaar L, Trampert A, Riechert H. Phys Rev B. 2010; 81:085310. doi: 10.1103/PhysRevB.81.085310. [CrossRef] [Google Scholar]
24. Cheze C, Geelhaar L, Jenichen B, Riechert H. Appl Phys Lett. 2010;97:153105. doi: 10.1063/1.3488010. [CrossRef] [Google Scholar]
25. Стойка Т., Саттер Э., Мейерс Р. Дж., Дебнат Р. К., Каларко Р.
, Лют Х., Грюцмахер Д. Смолл. 2008; 4: 751–754. doi: 10.1002/smll.200700936. [PubMed] [CrossRef] [Академия Google]
26. Gotschke T, Schumann T, Limbach F, Stoica T, Calarco R. Appl Phys Lett. 2011;98:103102. doi: 10.1063/1.3559618. [CrossRef] [Google Scholar]
27. Furtmayr F, Vielemeyer M, Stutzmann M, Laufer A, Meyer B K, Eickhoff M. J Appl Phys. 2008;104:074309. doi: 10.1063/1.2980341. [CrossRef] [Google Scholar]
28. Fang Z, Robin E, Rozas-Jiménez E, Cros A, Donatini F, Mollard N, Pernot J, Daudin B. Nano Lett. 2015;15:6794–6801. doi: 10.1021/acs.nanolett.5b02634. [PubMed] [CrossRef] [Академия Google]
29. Schuster F, Winnerl A, Weiszer S, Hetzl M, Garrido J A, Stutzmann M. J Appl Phys. 2015;117:044307. doi: 10.1063/1.4906747. [CrossRef] [Google Scholar]
30. Чжао С., Фатхололуми С., Беван К. Х., Лю Д. П., Кибрия М. Г., Ли К., Ван Г. Т., Го Х., Ми З. Нано Летт. 2012;12:2877–2882. doi: 10.1021/nl300476d. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
31.
Neugebauer J. Phys Status Solidi C. 2003;0:1651–1667. doi: 10.1002/pssc.200303132. [CrossRef] [Google Scholar]
32. Lee I-H, Choi I-H, Lee C-R, Shin E-J, Kim D, Noh S K, Son S-J, Lim KY, Lee H J. J Appl Phys. 1998;83:5787. doi: 10.1063/1.367501. [CrossRef] [Google Scholar]
33. Sánchez-Páramo J, Calleja J M, Sánchez-García MA, Calleja E. Appl Phys Lett. 2001;78:4124. doi: 10.1063/1.1379063. [CrossRef] [Google Scholar]
34. Chine Z, Rebey A, Touati H, Goovaerts E, Oueslati M, El Jani B, Laugt S. Phys Status Solidi A. 2006;203:1954–1961. doi: 10.1002/pssa.200521107. [CrossRef] [Google Scholar]
35. Fritze S, Dadgar A, Witte H, Bügler M, Rohrbeck A, Bläsing J, Hoffmann A, Krost A. Appl Phys Lett. 2012;100:122104. дои: 10.1063/1.3695172. [CrossRef] [Google Scholar]
36. Пасков П.П., Паскова Т., Хольц П.О., Монемар Б. Phys Rev B. 2004;70:035210. doi: 10.1103/PhysRevB.70.035210. [CrossRef] [Google Scholar]
37. Calle F, Sánchez FJ, Tijero JMG, Sánchez-García MA, Calleja E, Beresford R.
Semicond Sci Technol. 1997; 12:1396. doi: 10.1088/0268-1242/12/11/011. [CrossRef] [Google Scholar]
38. Calleja E, Sánchez-García M A, Sánchez F F, Calle F, Naranjo F B, Muñoz E, Jahn U, Ploog K. Phys Rev B. 2000; 62:16826. doi: 10.1103/PhysRevB.62.16826. [Перекрестная ссылка] [Академия Google]
39. Richter T, Meijers HLR, Calarco R, Marso M. Nano Lett. 2008; 8: 3056–3059. doi: 10.1021/nl8014395. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
40. Агекян В Ф, Воробьев Л Е, Мелентьев Г А, Нюканен Х, Серов А Ю, Суихконен С, Философов Н Г, Шалыгин В А. Физ. твердого тела. 2013; 55: 296–300. doi: 10.1134/S1063783413020029. [CrossRef] [Google Scholar]
41. Van de Walle CG, Stampfl C, Neugebauer J. J. Cryst Growth. 1998; 189–190: 505–510. doi: 10.1016/S0022-0248(98)00340-6. [Перекрестная ссылка] [Академия Google]
42. Дубровский В.Г., Сибирев Н.В., Цирлин Г.Е., Сошников И.П., Чен В.Х., Ларде Р., Кадел Э., Парейдж П., Сюй Т., Грандидье Б. и соавт. Phys Rev B. 2009; 79:205316.