Политехнический колледж гусев: Гусевский политехнический техникум

Гусевский политехнический техникум

Государственное бюджетное учреждение Калининградской области профессиональная образовательная организация «Гусевский политехнический техникум»

Официальный сайт: [email protected]
Адрес: 238030, Россия, г. Гусев, ул. Ульяновых, 2/4
Телефон: 8 (40143) 33863

Директор: Канаева Екатерина Николаевна

Гусевский политех: мы любим свое дело и готовы делиться знаниями! ГБУ КО ПОО «Гусевский политехнический техникум» – одна из крупных профессиональных образовательных организаций области с 70-летней историей, осуществляющая подготовку специалистов по техническому обслуживанию и ремонту промышленного оборудования для приоритетных отраслей развития региона.
Гусевский политехнический техникум – это:
– Более 1400 студентов;
– 10 учебно-производственных фирм;
– 2 ресурсных центра: по машиностроению и деревообработке;
– 6 современных мастерских «ТехноХаб»;

– Единственная платформа на востоке области для подготовки фармацевтов;
– Учебный спутник холдинга GS Group;
– 13 компетенций «Молодые профессионалы» (Worldskills Russia),
– 2 центра для проведения демо-экзаменов, 30 экспертов;
– 12 профессиональных проб для школьников;
– Широкий спектр дополнительного образования;
– Электронное обучение и дистанционные технологии;
– 2 направления колледж-класса: «Секретарь руководителя», «Чертежник-конструктор».
Гусевский политехникум – это региональный сетевой центр образовательных и опытно – конструкторских инициатив «ТехноХаб» со специализацией в сфере машиностроения и обработки материалов, оснащенный современными мастерскими, согласно требованиям Союза «Молодые профессионалы» (Worldskills Russia) по направлениям:
· Токарные работы на станках с ЧПУ
· Изготовление прототипов
· Реверсивный инжиниринг
· Интернет вещей
· Работы на универсальных станках
· Инженерный дизайн CAD
На базе Гусевского политехникума создан региональный сетевой центр индустрии гостеприимства янтарного края «Консорциум вкусных учебных фирм – КВУФ» в направлении «Искусство, дизайн и сфера услуг», представленный мастерскими по компетенциям:
· Кондитерское дело
· Поварское дело
· Хлебопечение
· 3D Моделирование для компьютерных игр
· Цифровой модельер
Техникум предлагает возможность первой пробы профессии для школьников по направлениям:
· Аддитивные технологии
· Инженерная графика
· Прототипирование
· Работа на станках с ЧПУ
· Электроника
· 3D – моделирование для компьютерных игр
· Кондитерское дело
· Столярное дело
· Экспедирование грузов
· Электромонтаж
· Реверсивный инжиниринг
· Интернет маркетинг
На базе образовательной организации создана широкая сеть для дополнительного образования детей и взрослых:
· Секции спортивной направленности
· Творческие мастерские
· Кружки технического творчества
· Дебат – клубы
· Добровольчество и волонтерство
· Юная журналистика и дизайнерские пробы
Гусевский политехнический техникум представляет широкий спектр дополнительного образования и возможность повысить свой профессиональный уровень, обновить знания и расширить профессиональные навыки

Гусевский политехнический техникум » Информационный сайт города Гусева

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ КАЛИНИНГРАДСКОЙ ОБЛАСТИ

государственное образовательное учреждение среднего профессионального образования

ГУСЕВСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ТЕХНИКУМ

Свидетельство о государственной аккредитации ОП 002644 № 830 от 07. 07.2010г.

Лицензия . № 314910 от 01.07.2010 г.

 

Гусевский политехнический техникум – одно из старейших учреждений профобразования региона, история которого начинается с 1949 года. Кроме того, это единственное учебное заведение на востоке области, осуществляющее подготовку специалистов по металлообработке, техническому обслуживанию  и ремонту оборудования.

 

Техникум располагает не только 30 учебными кабинетами и лабораториями и 5-ю производственными мастерскими (токарная, слесарная, швейная, мастерские электриков и поваров) на 101 рабочее место, но и спортивным, актовым, читальным залами, конференц-залом, общежитием для учащихся, столовой, буфетом и учебным магазином.

 

Начальное профессиональное образование на базе 9 классов без вступительных испытаний
Профессия/специальность	Срок обучения	Форма обучения
Продавец, контролер-кассир	2 года 5 месяцев	Очная, бюджет
Монтажник радиоэлектронной аппаратуры и приборов	2 года 5 месяцев	Очная, бюджет
Мастер столярного и мебельного производства	2 года 5 месяцев	Очная, бюджет
Повар, кондитер	2 года 5 месяцев	Очная, бюджет
Оператор электронно-вычислительных машин	2 года 5 месяцев	Очная, бюджет
Электромонтёр по ремонту и обслуживанию электрооборудования	2 года 5 месяцев	Очная, бюджет
Социальный работник	2 года 5 месяцев	Очная, бюджет
Станочник	2 года 5 месяцев	Очная, бюджет
Оператор станков с программным управлением	1 год	Очная, бюджет

 

Тем, кто не сдал ЕГЭ в 11 классе, мы поможем получить профессию, подготовиться к ЕГЭ, дадим возможность  продолжать обучение на следующих ступенях.

 

Среднее профессиональное образование сроки обучения и вступительные испытания зависят от того, какое образование у Вас уже есть
Профессия/специальность	Форма обучения		База подготовки
	Очная, бюджет	Заочная, на платной основе
Технология машиностроения	Да	–	9 классов
Технология продукции общественного питания	Да	Да	9 классов
Монтаж и техническая эксплуатация промышленного оборудования	–	Да	9 классов
Техническая эксплуатация и обслуживание электрического и электромеханического оборудования (по отраслям)	Да	Да	9 классов
Прикладная информатика (по отраслям)	Да	Да	11 классов
Экономика и бухгалтерский учёт (по отраслям)	–	Да	11 классов

 

• Нуждающимся предоставляется общежитие.
• Для малообеспеченных организовано бесплатное питание.
• В техникуме работают спортивные и досуговые секции.
• Возможность получения заочного высшего образования в сокращённые сроки, курсы дополнительного образования. 
• Лучшим выпускникам – трудоустройство на профильных предприятиях области.

Для зачисления в техникум необходимы документы:

1. Паспорт (свидетельство о рождении)
2. Документы об образовании (аттестат)
3. Фотография 3х4 (6 шт.)
4. Справка с места жительства
5. Почтовый конверт
6. Медицинская справка (форма 086)

Приём документов с 1 июня с 9.00 до 16.00.

Наш адрес: 238050, Калининградская обл., г. Гусев, ул. Ульяновых, дом 2/4
Телефон: 8(401 43)3-38-63
E-mail: [email protected]
Наш сайт: guspoliteh.ru

CINdex: Пакет биопроводников для анализа хромосомной нестабильности в данных о количестве копий ДНК

. 2017 13 декабря; 16:1176935117746637.

дои: 10.1177/1176935117746637. Электронная коллекция 2017.

Лэй Сун ¹ , Критика Бхуванешвар ¹ , Юэ Ван ² , Юаньцзянь Фэн ² , Ие-Мин Ши ³ , Субха Мадхаван ¹ , Юрий Гусев ¹

Принадлежности

• ¹ Инновационный центр биомедицинской информатики, Джорджтаунский университет, Вашингтон, округ Колумбия, США.
• ² Департамент электротехники и вычислительной техники Брэдли, Политехнический институт и государственный университет Вирджинии, Арлингтон, Вирджиния, США.
• ³ Кафедра гинекологии и акушерства, Медицинский факультет Университета Джона Хопкинса, Балтимор, Мэриленд, США.

• PMID: 29343938
• PMCID: PMC5761903
• DOI: 10.1177/1176935117746637

Бесплатная статья ЧВК

Лей Сонг и др. Рак Информ. 2017 .

Бесплатная статья ЧВК

. 2017 13 декабря; 16:1176935117746637.

дои: 10.1177/1176935117746637. Электронная коллекция 2017.

Авторы

Лэй Сун ¹ , Критика Бхуванешвар ¹ , Юэ Ван ² , Юаньцзянь Фэн ² , Ие-Мин Ши ³ , Субха Мадхаван ¹ , Юрий Гусев ¹

Принадлежности

• ¹ Инновационный центр биомедицинской информатики, Джорджтаунский университет, Вашингтон, округ Колумбия, США.
• ² Департамент электротехники и вычислительной техники Брэдли, Политехнический институт и государственный университет Вирджинии, Арлингтон, Вирджиния, США.
• ³ Кафедра гинекологии и акушерства, Медицинский факультет Университета Джона Хопкинса, Балтимор, Мэриленд, США.

• PMID: 29343938
• PMCID: PMC5761903
• DOI: 10.1177/1176935117746637

Абстрактный

Пакет CINdex Bioconductor предназначен для важной области высокопроизводительного геномного анализа. Он вычисляет индекс хромосомной нестабильности (CIN), новое измерение, которое количественно характеризует изменения числа копий всего генома (CNA) как меру CIN. Преимуществом этого пакета является возможность сравнения значений индекса CIN между несколькими группами пациентов (группами наблюдения и контроля), что является типичным случаем использования в трансляционных исследованиях. Дифференциально измененные цитополосы или хромосомы затем могут быть связаны с генами, расположенными в пораженных областях генома, а также с путями. Это позволяет проводить углубленный сетевой анализ на основе системной биологии и оценивать влияние CNA на различные биологические процессы или клинические исходы. Этот пакет был успешно применен для анализа данных о количестве копий ДНК при колоректальном раке в рамках мультиомного интегративного исследования, а также для анализа некоторых других типов рака. Исходный код вместе со сквозным учебным пособием и примерами данных находятся в свободном доступе в Bioconductor по адресу http://bioconductor.org/packages/CINdex/.

Ключевые слова: номер копии ДНК; биокондуктор; геномика рака; хромосомная нестабильность; изменение количества копий; Геномная нестабильность.

Заявление о конфликте интересов

w3.org/1999/xlink” xmlns:mml=”http://www.w3.org/1998/Math/MathML” xmlns:p1=”http://pubmed.gov/pub-one”> Декларация о конфликте интересов: Авторы заявили об отсутствии потенциального конфликта интересов в отношении исследования, авторства и/или публикации этой статьи.

Цифры

Рисунок 1.

(А) Каркас…

Рисунок 1.

(A) Структура пайплайна анализа хромосомной нестабильности (CIN). (B) Сквозной…

Фигура 1.

(A) Структура пайплайна анализа хромосомной нестабильности (CIN). (B) Сквозной анализ с использованием пакета CINdex.

Рисунок 2.

Примеры (A) матрицы хромосома-CIN — образцы…

Рисунок 2.

Примеры (A) матрицы CIN-хромосомы — образцы представляют собой столбцы, а хромосомы — строки и (B)…

Фигура 2.

Примеры (A) матрицы хромосома-CIN — образцы представляют собой столбцы, а хромосомы — строки и (B) матрица цитобэнд-CIN — образцы представляют собой столбцы, а цитобэнды — строки. Матрица красного цвета содержит только амплификации, матрица синего цвета показывает только делеции, а матрица желтого цвета содержит сумму обоих (также называемая «общим CIN»). CIN указывает на нестабильность хромосом.

Рисунок 3.

Тепловые карты Chromosome-CIN для усиления и…

Рисунок 3.

Тепловые карты Chromosome-CIN для порогов усиления и потери: 2,1 и 1,9 (вверху), 2,25 и…

Рисунок 3.

Тепловые карты Chromosome-CIN для порогов увеличения и потери: 2,1 и 1,9 (вверху), 2,25 и 1,75 (в центре) и 2,5 и 1,5 (внизу), показывающие амплификации (приросты), делеции (потери) и общий (сумма) CIN. CIN указывает на нестабильность хромосом.

Рисунок 4.

Тепловая карта Cytoband-CIN для хромосомы 20.…

Рисунок 4.

Тепловая карта Cytoband-CIN для хромосомы 20. Синий цвет указывает на геномную нестабильность (потери). Черный цвет…

Рисунок 4.

Тепловая карта Cytoband-CIN для хромосомы 20. Синий цвет указывает на геномную нестабильность (потери). Черный цвет указывает на отсутствие геномной нестабильности. CIN указывает на нестабильность хромосом.

Рисунок 5.

Тепловая карта, показывающая статистически значимые различия…

Рисунок 5.

Тепловая карта, показывающая статистически значимые дифференциальные изменения цитополос между 2 группами.

Рисунок 5.

Тепловая карта, показывающая статистически значимые дифференциальные изменения цитополос между 2 группами.

Рисунок 6.

Обогащение Pathway с использованием базы данных Reactome.…

Рисунок 6.

Обогащение Pathway с использованием базы данных Reactome. Цвета столбцов соответствуют значениям P .

Рисунок 6.

Обогащение Pathway с использованием базы данных Reactome. Цвета в полосах представляют P значений.

См. это изображение и информацию об авторских правах в PMC

Похожие статьи

• iGC-интегрированный пакет анализа экспрессии генов и изменения числа копий.

  Лай Ю.П., Ван Л.Б., Ван В.А., Лай Л.С., Цай М.Х., Лу Т.П., Чуанг Э.Ю. Лай Ю.П. и соавт. Биоинформатика BMC. 2017 14 января; 18 (1): 35. doi: 10.1186/s12859-016-1438-2. Биоинформатика BMC. 2017. PMID: 28088185 Бесплатная статья ЧВК.

• GUIDEseq: пакет биопроводников для анализа наборов данных GUIDE-Seq на наличие нуклеаз CRISPR-Cas.

  Чжу Л.Дж., Лоуренс М., Гупта А., Пагес Х., Куцукурал А., Гарбер М., Вулф С.А. Чжу Л.Дж. и др. Геномика BMC. 2017 15 мая; 18 (1): 379. doi: 10. 1186/s12864-017-3746-y. Геномика BMC. 2017. PMID: 28506212 Бесплатная статья ЧВК.

• karyoploteR: пакет R/Bioconductor для построения настраиваемых геномов, отображающих произвольные данные.

  Гель Б, Серра Э. Гель Б и др. Биоинформатика. 2017 1 октября; 33 (19): 3088-3090. doi: 10.1093/биоинформатика/btx346. Биоинформатика. 2017. PMID: 28575171 Бесплатная статья ЧВК.

• HilbertCurve: пакет R/Bioconductor для визуализации геномных данных с высоким разрешением.

  Гу З., Эйлс Р., Шлеснер М. Гу Зи и др. Биоинформатика. 2016 1 августа; 32 (15): 2372-4. doi: 10.1093/биоинформатика/btw161. Epub 2016 24 марта. Биоинформатика. 2016. PMID: 27153599

• CNVScope: визуальное изучение аберраций количества копий в геномах рака.

  Далглиш Дж.Л., Ван Ю., Чжу Дж., Мельцер П.С. Далглиш Дж.Л. и соавт. Рак Информ. 2019 дек 2;18:11769351198

. doi: 10.1177/11769351198. Электронная коллекция 2019. Рак Информ. 2019. PMID: 31832011 Бесплатная статья ЧВК. Обзор.

Посмотреть все похожие статьи

Цитируется

• Длинная некодирующая РНК CCAT2 вызывает хромосомную нестабильность посредством передачи сигналов BOP1-AURKB.

  Чен Б., Драгомир М.П., ​​Фабрис Л., Байрактар ​​Р., Кнутсен Э., Лю Х, Тан С., Ли И., Шимура Т., Ивкович Т.С., Де Лос Сантос М.С., Анфосси С., Симидзу М., Шах М.Ю., Линг Х., Шен П., Мултани А.С., Пардини Б., Беркс Дж.К., Катаяма Х., Рейнеке Л.С., Хуо Л., Сайед М., Сонг С., Феррацин М., Оки Э., Фромм Б., Иван С., Бхуванешвар К., Гусев Ю., Мимори К., Ментер Д., Сен С., Мацуяма Т. , Уэтаке Х., Василеску С., Копец С., Паркер-Торнбург Дж., Тагучи А., Ханаш С.М., Гирнита Л., Слаби О., Гоэл А., Варани Г., Гагеа М., Ли С., Аджани Д.А., Калин Г.А. Чен Б. и др. Гастроэнтерология. 2020 дек;159(6):2146-2162.e33. doi: 10.1053/j.gastro.2020.08.018. Epub 2020 15 августа. Гастроэнтерология. 2020. PMID: 32805281 Бесплатная статья ЧВК.

• Мотивы количества копий ДНК являются сильными и независимыми предикторами выживания при раке молочной железы.

  Пладсен А.В., Нильсен Г., Руэда О.М., Ауре М.Р., Борган О., Листёль К., Вителли В., Фригесси А., Лангерод А., Мателье А.; OSBREAC, Engebråten O, Kristensen V, Wedge DC, Van Loo P, Caldas C, Børresen-Dale AL, Russnes HG, Lingjærde OC. Пладсен А.В. и соавт. коммун биол. 2020 2 апр; 3(1):153. doi: 10.1038/s42003-020-0884-6. коммун биол. 2020. PMID: 32242091 Бесплатная статья ЧВК.

• Онтогенетические и патогенетические взгляды на соматический хромосомный мозаицизм.

  Юров И.Ю., Ворсанова С.Г., Юров Ю.Б., Куцев С.И. Юров И.Ю., и соавт. Гены (Базель). 2019 19 мая; 10 (5): 379. doi: 10.3390/genes10050379. Гены (Базель). 2019. PMID: 31109140 Бесплатная статья ЧВК. Обзор.

• Исследование REMBRANDT, большая коллекция геномных данных пациентов с раком головного мозга.

  Гусев Ю., Бхуванешвар К., Сонг Л., Зенклусен Дж. К., Файн Х., Мадхаван С. Гусев Ю. и соавт. Научные данные. 2018 14 августа; 5:180158. doi: 10.1038/sdata.2018.158. Научные данные. 2018. PMID: 30106394 Бесплатная статья ЧВК.

использованная литература

1. 1. Чжао М. , Ван К., Ван К., Цзя П., Чжао З. Вычислительные инструменты для обнаружения вариаций числа копий (CNV) с использованием данных секвенирования следующего поколения: особенности и перспективы. Биоинформатика BMC. 2013;14:S1. дои: 10.1186/1471-2105-14-S11-S1. – DOI – ЧВК – пабмед
2. 1. Хупе П., Странски Н., Тьери Дж. П., Радвани Ф., Барийо Э. Анализ массива данных CGH: от соотношения сигналов до увеличения и потери участков ДНК. Биоинформатика. 2004; 20:3413–3422. doi: 10.1093/биоинформатика/bth518 bth518. – пабмед
3. 1. Венкатраман Э.С., Олшен А.Б. Более быстрый алгоритм круговой бинарной сегментации для анализа массива данных CGH. Биоинформатика. 2007; 23: 657–663. doi: 10.1093/биоинформатика/btl646. – DOI – пабмед
4. 1. Фридлянд Дж., Снейдерс А. М., Пинкель Д., Альбертсон Д.Г., Джайн А.Н. Подход скрытых марковских моделей к анализу массива данных CGH. Дж мультивар анал. 2004; 90: 132–153.
5. 1. Бероухим Р., Гетц Г., Нгиемфу Л. и др. Оценка значения хромосомных аберраций при раке: методология и применение к глиоме. Proc Natl Acad Sci U S A. 2007;104:20007–200012. doi:10.1073/pnas.0710052104. – DOI – ЧВК – пабмед

Эрик Эйзенбраун | Политехнический институт SUNY

Степени:

• Доктор философии, физика, Университет Олбани, 1995
• BS, Физика, RPI

Области исследований

• тонкие пленки
• АЛД
• ССЗ
• металлизация
• барьеры
• межблочные соединения
• Блок ворот
• металлы

Описание исследования

Исследовательские группы профессора Эйзенбрауна работают в нескольких основных областях. Во-первых, исследуются новые материалы и процессы для использования в стеках затворов КМОП-транзисторов. Это включает в себя разработку высокоэффективных диэлектрических материалов с высоким коэффициентом k, а также материалов для металлических электродов затвора.

Вторая область — расширенные межсоединения. Это включает в себя разработку барьерных/адгезионных слоев на основе тугоплавких металлов, таких как TiSiN и HfN, для металлизации меди, а также исследование того, как эти слои могут быть интегрированы с передовыми пористыми диэлектрическими межслойными диэлектрическими материалами с низким значением k.

Третья область включает разработку процессов выращивания материалов на основе тугоплавких металлов, таких как TaN и SiCN, для использования в качестве коррозионностойких и износостойких покрытий. Они имеют широкий спектр конкретных применений.

Четвертая область — это исследование очень новых материалов для самых передовых межсоединений и устройств. Это включает совместную работу с другими исследователями по разработке биоинженерных молекулярных систем на основе белков для использования в качестве наноразмерных межсоединений и устройств.

Недавние публикации и презентации

Сара Ашмег, Эрик Эйзенбраун, Майкл Фасулло, Мухаммад Афган, Джахангир Сатти, Умар Бахаром, «Увеличение дозы облучения с помощью углеродных нанотрубок с медным наполнителем» в Трудах Американской ассоциации физики в медицине, 2017 г. (AAPM2017), Бостон, июль 2017 г.

Сара Ашмег, Эрик Эйзенбраун, «Углеродные нанотрубки с металлическим наполнением для направленной лучевой терапии: технико-экономическое обоснование», в Proceedings of the American Association of Physics in Medicine 2017 (AAPM2017), Бостон, Июль 2017.

Сара Ашмег и Эрик Эйзенбраун, «Углеродные нанотрубки с металлическим наполнением для направленной лучевой терапии: технико-экономическое обоснование», представлено на собрании отделения AVS в Олбани осенью 2016 года.

Р. Пол Хансен, Ричард Филлипс, Эрик Эйзенбраун и Карл А. Вентрис-младший, «Роль взаимодействия прочной металлической подложки в каталитической активности платины, нанесенной на подложку из TiO2», представленная на выставке AVS Albany осенью 2016 г. Встреча главы.

Сара Ашмег и Эрик Эйзенбраун «Углеродные нанотрубки с металлическим наполнением для направленной лучевой терапии: технико-экономическое обоснование», представленное на конференции CIRC 2016 (Бостон, Массачусетс).

Сара Ашмег и Эрик Эйзенбраун «Возможность применения углеродных нанотрубок, наполненных радиоизотопами, для направленной лучевой терапии», представленная на конференции ANY осенью 2016 года.

Эрик Т. Эйзенбраун, «Атомное осаждение слоев», в Справочнике по производству полупроводников (2-е издание) ISBN: 9780125958769, McGraw-Hill Professional, стр. 127–131, 2016 г.

Ферьян Ахмед, Сара Ашмег и Эрик Эйзенбраун , «Металлизированные углеродные нанотрубки как проводящий материал для устройств накопления энергии» J. Mater.Res. 31(15), 2016.

Михаил Трегер, Кристиан Уитт, Сирил Кабрал мл., Конал Мюррей, Джин Джордан-Свит, Роберт Розенберг, Эрик Эйзенбраун и И.С. Ноян, «Прогнозирование времени рекристаллизации в тонких пленках меди с гальваническим покрытием», Тонкие твердые пленки, 615 , 107 (2016).

Дастин Банхам, Сию Йе, Алекс О’Тул, Адам Лемке, Эрик Эйзенбраун, «Неожиданная селективность катализаторов Pt/NbTiO2 в отношении окисления водорода» Nano Energy 27 , 157 (2016).

Элрой А. Татем, Ален Э. Калойерос и Эрик Т. Эйзенбраун, «Коэффициент теплового сопротивления ультратонких пленок серебра, нанесенных на медь, для применения в новых системах межсоединений», J. Vac. науч. Технол. Б 32 , 031801 (2014).

Адам Лемке, Алекс О’Тул, Ричард Филлипс и Эрик Эйзенбраун, «Влияние высокого содержания аниономеров с катализаторами из серебряных нанопроволок на реакцию восстановления кислорода в щелочной среде», Journal of Power Sources 256 , 319 (2014).

Михаил Трегер, Кристиан Витт, Сирил Кабрал, Конал Мюррей, Джин Джордан-Свит, Роберт Розенберг, Эрик Эйзенбраун и И. К. Ноян, «Характеристика кинетики рекристаллизации при комнатной температуре в гальванизированных тонких медных пленках с одновременными измерениями рентгеновской дифракции и удельного электрического сопротивления» ”, J. Appl. физ. 113 , 214904 (2013).

Tonmoy Chakraborty и Eric T. Eisenbraun, «Анализ микроструктуры барьера из смешанной фазы RuTaN, выращенного осаждением атомных слоев в плазме, для электроосаждения меди без затравки» J. Vac. науч. Технол. А 30 , 020604 (2012 г.).

Отэм Карлсен, Сейчиро Хигасия, Наташа И. Топилина, Кэтлин А. Данн, Роберт Э. Гир, Эрик Т. Эйзенбраун, Ален Э. Калойерос и Джон Т. Уэлч, «Металлизация генно-инженерного полипептида», макромолекулярная биология 12(2) 269(2012).

Эрик Эйзенбраун, «Предельные пределы обычных барьеров и вкладышей — последствия для расширяемости медной металлизации» Microelectronic Engineering, 92 , 67 (2012).

Ричард Филлипс, Пол Хансен и Эрик Эйзенбраун, «Субстехиометрические наностержни TiOx, изготовленные осаждением атомных слоев в качестве подложек для катализаторов топливных элементов», J. Vac. науч. Технол. A 30 , 01A125 (2012 г.).

Тонмой Чакраборти, Дэниел Гринслит и Эрик Т. Эйзенбраун, «Характеристики зарождения и роста гальванопокрытой меди на пластинах RuTaN, выращенных осаждением атомных слоев с плазменным усилением», J. Vac. науч. Технол. Б 29 , 030605 (2011).

B. Arkles, Y. Pan, Y. Kim, E. Eisenbraun, C. Miller и A. Kaloyeros, «Модификация металлов гидридосиланом: предварительное исследование», J. Adhesion Sci. и техн., 25 (12), 1 (2011).

Дж. Ли, И. Лунд, Э. Эйзенбраун и Р. Гир, «Силицид-индуцированный рост многостенных углеродных нанотрубок на кремниевых нанопроволоках», Нанотехнология, 22 (8), 085603 (2011).

Н. Рана, К. Коссов, Э. Эйзенбраун, Р. Гир и А. Калойерос, «Контроль межфазной адгезии самособирающихся полипептидных фибрилл для применения в новых наноэлектромеханических системах (НЭМС)», Micromachines, 2(1), 1 (2011).

Э. Эйзенбраун, Ф.-Дж. Кален, П. Вербанет и В. Пандит, «Приглашенная редакционная специальная секция на конференции Advanced Semiconductor Manufacturing», IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, 24 (2), 5725196, 137-138 (2011).

Дж. Мао, Э. Эйзенбраун, В. Омарджи, К. Лансалот, К. Дюссаррат, «Низкотемпературное осаждение меди методом PE-ALD», Труды симпозиума Общества исследования материалов 1195, 305-310 (2010).

Р. Филлипс и Э. Эйзенбраун, «Сравнение O3 и h3O в качестве источников кислорода для обработки методом атомно-слоевого осаждения тонких пленок HfAlOx для применения в наноконденсаторах с высокой диэлектрической проницаемостью k», в Диэлектрики для наносистем 4: Материаловедение, обработка, надежность, и Производство, Материалы 217-го собрания Электрохимического общества (Ванкувер, Канада, 2010 г.).

Р. Филлипс и Э. Эйзенбраун, «Сравнение O3 и h3O в качестве источников кислорода для обработки методом атомно-слоевого осаждения тонких пленок HfAlOx для применения в качестве диэлектрических наноконденсаторов с высоким значением k», ECS Trans., 28 (2), 97 (2010) ).

Н. Фаренкопф, С. Октябрьский, Э. Эйзенбраун, М. Бергквист, Х. Ши, Н. Кэди, «Фосфат-зависимая иммобилизация ДНК на оксиде гафния для биосенсорных приложений», материалы симпозиума Общества исследования материалов, Proceedings 1191, стр. 141-146 (2009).

Дж. Мао, Э. Эйзенбраун, В. Омарджи, К. Лансалот и К. Дюссаррат, «Разработка процесса осаждения атомного слоя меди в низкотемпературной водородной плазме», Труды осени 2009 г.Собрание Общества исследования материалов (Бостон, Массачусетс, 2009 г.).

Т. Чакраборти и Э. Эйзенбраун, «Разработка многокомпонентных футеровок на основе ALD в качестве прямых барьеров при металлизации меди», Труды студенческого симпозиума TECHCON 2009 г. корпорации Semiconductor Research Corporation (SRC) (Остин, Техас, 2009 г.).

Д. Гринслит и Э. Эйзенбраун, «Модификации пленок WCN для улучшения характеристик для приложений с прямыми пластинами», Труды студенческого симпозиума TECHCON Semiconductor Research Corporation (SRC), 2009 г.(Остин, Техас, 2009 г.).

А. Э. Калойерос, Дж. Кастракан, К. Данн, Э. Эйзенбраун, А. Гадре, В. Лабелла, Т. Стоунер, Б. Сюй, Дж. Г. Райан и А. Тополь, «Новые технологии обработки межсоединений в наноразмерном масштабе: основы и Практика», в Advanced Nanoscale ULSI Interconnects, изд. Ю. Шахам-Диаманд, Т. Осака, М. Датта и Т. Оба, Нью-Йорк: Spring-Verlag (2009).

«Разработка смешанных фазовых пленок Ru-WCN, выращенных методом атомно-слоевого осаждения с плазменным осаждением, для применения в наноразмерных диффузионных барьерах и медных пластинах» Д. Гринслит, Т. Чакраборти и Э. Эйзенбраун, J. Vac. науч. Технол. Б, 27(2), 631 (2009).).

«Атомно-слоевое осаждение нового барьера со смешанной фазой для гальванопокрытия меди без затравки» С. Кумар, Д. Гринслит, Т. Чакраборти и Э. Эйзенбраун, J. Vac. науч. Технол. 27(3), 572 (2009).

«Исследования ультратонких смешанных фазовых пленок Ru-WCN для диффузионного барьера и медных пластин», Д. Гринслит, С. Кумар, Т. Чакраборти и Э. Эйзенбраун, ECS Trans. 13, 63 (2008).

«О влиянии термической обработки на состав, структуру, морфологию и оптические свойства гидрогенизированного аморфного оксикарбида кремния», С. Галлис, В. Никас, Э. Эйзенбраун, М. Хуанг и А. Калойерос, Дж. , Матер. Рез., 24(8) (2009). )

«Влияние влажности на полностью оптические датчики водорода на основе Pd/Au», Z. Zhao, M. Knight, S. Kumar, ET Eisenbraun и M. A. Carpenter, 129 (2), 726-733 (2008 г.). )

«АСО с плазменной обработкой проводящего нитрида гафния с использованием тетракис (этилметиламидо) гафния для применения в КМОП-электродах», S. Consiglio, W. Zeng, N. Berliner, and E. Eisenbraun, J. Electrochem. соц. 155 (3), h296-h301 (2008)

«Сравнительное исследование влияния термической обработки на оптические свойства гидрогенизированного аморфного оксикарбида кремния», С. Галлис, В. Никас, М. Хуанг, Э. Eisenbraun и A. Kaloyeros, J. Appl. физ. 102 , 024302-024310 (2007)

«Конформационные молекулярные переключатели для пост-CMOS наноэлектроники», А. Калойерос, М. Стэн, Р. Гир, Э. Эйзенбраун, Дж. Рейнольдс, А. Гадре и Дж. Райан, IEEE Trans. Схемы и системы I: наноэлектронные схемы и наноархитектуры, 54 (11), 2345-2352 (2007). Приглашен.

«Разработка технологичных решений для прямого нанесения меди на прочные барьеры, выращенные методом ALD», С. Кумар, Д. Гринслит и Э. Эйзенбраун, ECS Trans. 6 (8), 77-88 (2007)

«Атомно-слоевое осаждение тонких медных пленок с усилением плазмы водорода», L. Wu and E. Eisenbraun, J. Vac. науч. Технол. B (25), 2581-2585 (2007)

«Интеграция электрохимически осажденной меди с затравочными слоями меди, выращенными с помощью плазменного осаждения атомных слоев», L. Wu, W. Zeng и E. Eisenbraun, ECS Trans. 11 (7), 67-78 (2007)

«Выращивание WNxCy при низкой температуре PEALD из нового прекурсора для барьерных приложений в наноразмерных устройствах», В. Цзэн, X. Ван, С. Кумар, Д. Петерс, и E. Eisenbraun, J. Mater. Рез., 22 (3), 79 (2007)

«Исследование зарождения ультратонкой пленки рутения на предварительно обработанных поверхностях SiO2 и Hf-силикатов», Ф. Пападатос, С. Консильо, С. Скордас, Э. Эйзенбраун, и A. Kaloyeros, J. Mater. Res., 22 (8), 2254-2264 (2007)

«Кремний размером менее 0,25 микрона с помощью травления для трехмерных межсоединений», X. Wang, W. Zeng and E. Eisenbraun J. Micromech. Микроангл. 17  804 (2007)

«ALD: новые материалы, процессы и применение нанотехнологий», Э. Эйзенбраун, М. Карпентер, Р. Сиддик, С. Начас, В. Цзэн, Ф. Луо и А. Калойерос, Электрохим. соц. Транс. 1 (10), 29-36 (2006). Приглашен.

«Материалы и процессы для стеков ворот с высоким k: результаты Центра перехода FEP», C. Osburn, S. Campbell, A. Demkov, E. Eisenbraun, E. Garfunkel, T. Gustafsson, A. Kingon, J. Ли, Д. Лихтенвальнер, Г. Луковский, Т.П. Ma, J. Maria, V. Misra, R. Nemanich, G. Parsons, D. Schlom, S. Stemmer, R. Wallace, and J. Whitten, Electrochem. соц. Транс. 3 (3), 389-398 (2006). Приглашен.

«Подходы атомно-слоевого осаждения для выращивания материалов на основе Ta для усовершенствованных КМОП-электродов затвора», С. Консильо и Э. Эйзенбраун, Труды Студенческого симпозиума TECHCON Semiconductor Research Corporation (SRC), 2006 г., октябрь 2006 г.

«Рост новых сплавов для применения в медных барьерах с прямым покрытием», С. Кумар, М. Тунгаре и Э. Эйзенбраун, Труды Исследовательской корпорации полупроводников (SRC) 2006 г. Студенческий симпозиум TECHCON 2006 г., октябрь 2006 г.

«Тепловой / Химическая стабильность тонких пленок ALD Ru-TaN для электродов затвора», М. Тунгаре, С. Кумар и Э. Эйзенбраун, Электрохимия. соц. Транс. 3 (2), 303 (2006)

«Химическое осаждение из паровой фазы металлических органических соединений тонких пленок силиката гафния с использованием подхода с использованием двойного источника диметил-алкиламидо», С. Консильо, Ф. Пападатос, С. Начас, С. Скордас, Э. Eisenbraun и A.Kaloyeros, J.Electrochem. соц. 153 , F249 (2006)

«Низкотемпературный ALD Mon для применения в наноразмерных устройствах», W. Zeng, X. Wang, S. Meiere и E. Eisenbraun, Electrochem. соц. Транс. 1 (11) 163 (2006)

«Формирование двухслойных фибрилл с помощью генно-инженерных полипептидов: получение и характеристика», Топилина Н., Хигашия С., Рана Н., Ермоленков В., Коссов К., Карлсен А., С. Нго, К. Уэллс, Э. Эйзенбраун, К. Данн, И. Леднев, Р. Гир, А. Калойерос, Дж. Уэлч, Биомакромолекулы 7 (4), 1104 (2006)

«Коммерциализация нового оборудования для обработки и характеризации наноразмеров: инновации и проблемы», E. Eisenbraun, Nanotechnology Law and Business Vol. 2, выпуск 2 (2005). Приглашен.

«Электрические свойства ультратонких пленок Al2O3, выращенных методом MOCVD, для усовершенствованных диэлектриков под затвором CMOS», S. Skordas, F. Papadatos, S. Consiglio, E. Eisenbraun, E. Gousev и A. Kaloyeros, J. Mater. Рез. 20 , 1536 (2005)

«Аморфная матрица Si-CO, легированная эрбием (a-SiCxOy:Er) — новый материал на основе кремния для оптоэлектронных приложений ближнего инфракрасного диапазона», С. Галлис, М. Хуанг, V. Nikas, H. Efstathiadis, E. Eisenbraun, A. Kaloyeros, E. Nyein, and U. Hommerich, Mater. Рез. соц. Симп. проц. Том. 866 Версия 6.5.1, 2005 г.

“Фотолюминесценция в тонких пленках аморфного оксикарбида кремния, легированного эрбием”, S. Gallis, M. Huang, H. Efstathiadis, E. Eisenbraun, A. Kaloyeros, E. Nyein, and U. Hommerich, Appl. физ. лат. 87 , 091901 (2005)

«Химическое осаждение рутения и его оксида из паровой фазы для применения в электродах с формирующимся затвором», Ф. Пападатос, С. Консильо, С. Скордас, Э. Эйзенбраун, А. Калойерос, Дж. Пек, D. Thompson и C. Hoover, J. Mater. Рез. 19 , 2947 (2004)

«CVD диэлектрических тонких пленок оксида тантала для применения в наноразмерных устройствах», W. Zeng, E. Eisenbraun, H. Frisch, J. Sullivan, A. Kaloyeros, J. Margalit и K. Beck, J. Electrochem. соц. 151 , F172 (2004)

“Усовершенствованные прекурсоры рутения для осаждения тонких пленок”, C. Hoover, M. Litwin, J. Peck, G. Piotrowski, D. Thompson, E. Eisenbraun, and F. Papadatos, Proc. . Электрохим. Soc., 2003-22 (Физика и технология диэлектриков под затвором High-k II), 237 (2004)

«Атомно-слоевое осаждение нитрида тантала для применения ультратонких футеровок в усовершенствованных схемах металлизации меди», О. ван дер Стратен, Y , Zhu, K. Dunn, E. Eisenbraun и A. Kaloyeros, J. Mater. Рез. 19 , 447 (2004)

«Низкотемпературное химическое осаждение Al2O3 из паров металлов и органических соединений для усовершенствованных диэлектриков на основе КМОП-затворов», С. Скордас, Ф. Пападатос, Г. Нуэска, Дж. Салливан, Э. Эйзенбраун и А. , Калойерос, J. Mater. Рез. 18 , 868 (2003)

“Интеграция плазменно-усиленного атомно-слоевого осаждения (PEALD) тонких пленок на основе тантала для применения в медных диффузионных барьерах”, D. Cheng and E. Eisenbraun, Mat. Рез. соц. Симп. проц. Том. 766, Е10.4.1, 2003

«Влияние предварительной плазменной обработки на свойства удаления влаги из CVD Cu на барьерном слое CVD W2N», D. Cheng, G. Nuesca и E. Eisenbraun, Mat. Рез. соц. Симп. проц. Том. 766, E3.9.1, 2003

«Характеристика тонких пленок рутения и оксида рутения, нанесенных методом химического осаждения из паровой фазы, для применения в КМОП-электродах с затвором», Ф. Пападатос, С. Скордас, С. Консильо, Э. Эйзенбраун и А. Калойерос. , мат. Рез. соц. Симп. проц. Том. 745, стр. 61 (2003)

«Качество интерфейса и электрические характеристики низкотемпературных металлоорганических химических осаждений из паровой фазы тонких пленок оксида алюминия для усовершенствованных диэлектриков с КМОП-затвором», С. Скордас, Ф. Пападатос, С. Консильо, Э. Эйзенбраун и А. Калойерос, Новые материалы и процессы для усовершенствованных КМОП, Матем. Рез. соц. проц. Том. 745, N5.18.1, 2003

«Характеристика тонких пленок рутения и оксида рутения, нанесенных химическим осаждением из паровой фазы для применения в КМОП-электродах с затвором», F. Papadatos, S. Skordas, S. Consiglio, A. Kaloyeros и E. Eisenbraun, Mat. Рез. соц. Симп. проц. Том. 745, N3.3.1, 2003

«3D-система на кристалле с использованием диэлектрического клеевого соединения и межпластинчатых соединений Cu Damascene», J.-Q. Лу, А. Джиндал, Ю. Квон, Дж. МакМахон, К. Ли, Р. Крафт, Б. Альтемус, Д. Ченг, Э. Эйзенбраун, Т. Кейл и Р. Гутманн, на Международном симпозиуме по тонкопленочным материалам , Процессы и надежность на 203-м собрании Электрохимического общества, Париж, (2003 г.)

«Многофункциональная интеграция высокой плотности (HDMI) в масштабе пластины для недорогих микро-, нано-, электро-опто- и биогетерогенных систем», Р. Гутманн, Дж.-К. Лу, Дж. МакМахон, П.Д. Персанс, Т.С. Кейл, Э. Эйзенбраун, Дж. Кастракан и А.Э. Калойерос, в Proceedings of Nanotech 2003: The Nanotechnology Conference and Trade Show, Eds. М. Лаудон и Б. Романович, 1, 530, Сан-Франциско (2003)

«Исследования интеграции Ru и RuO2, выращенных методом MOCVD, с диэлектриками на основе HfO2 для передовых КМОП-приложений», Ф. Пападатос, С. Консильо, А. Калойерос и Э. Эйзенбраун, Proceedings of Semiconductor Research Corporation (SRC) 2003 Студенческий симпозиум TECHCON 2003, август 2003 г.

«Процессы атомно-слоевого осаждения для наноразмерной металлизации меди», О. ван дер Стратен, Ю. Чжу, Э. Эйзенбраун и А. Калойерос, в материалах конференции Advanced Metallization 2002 г. (Mater. Res. Soc., 2002)

“Оптимизация ультратонких пленок нитрида тантала методом ALD для применения в футеровке нулевой толщины”, O. van der Straten, Y. Zhu, E. Eisenbraun и A. Kaloyeros, Mat. Рез. соц. Симп. проц. Том. 716, B11.3.1, 2002

«Химическое осаждение Ru и RuO2 из паровой фазы для применения в затворных электродах», Ф. Пападатос, С. Скордас, З. Патель, С. Консильо и Э. Эйзенбраун, Матер. Рез. соц. Симп. проц. , Том. 716, B2.4.1, 2002

«Низкотемпературное химическое осаждение из паровой фазы металлических органических соединений тонких пленок оксида алюминия для усовершенствованных диэлектриков КМОП-затворов», С. Скордас, Ф. Пападатос, З. Патель, Г. Нуэска, Э. Эйзенбраун, Э. , Гусев, А. Е. Калойерос, Mater. Рез. соц. Симп. проц. , Том. 716, B4.11.1, 2002

«Физические свойства и диффузионные характеристики пленок TiSiN, выращенных методом CVD», Д. Анжум, К. Довиденко, С. Октябрьский, Э. Эйзенбраун и А. Калойерос, Мат. Рез. соц. Симп. проц. Том. 697, P8.18.1, 2002

«Химическое осаждение из паровой фазы новых прекурсоров для усовершенствованных конденсаторных электродов», Джон Пек, Синтия А. Гувер, Джим Д. Этвуд, Дэйв Хот, Стивен Консильо, Филиппос Пападатос, Эрик Эйзенбраун, Electrochem. соц. проц. Том. 2002–11, 2002

«Исследования субстрат-селективного ковалентного связывания для генно-инженерных молекулярных межсоединений», Н. Рана, К. Боусман, Г. С. Шехават, Г. Сиринакис, Ф. Хойхлинг, Дж. Уэлч, Э. Эйзенбраун, Р. Гир и А. Калойерос, 9 лет0605 Мат. Рез. соц. Симп. проц. Том. 728, S8.4.1 (2002)

«Обработка межпластинчатых вертикальных соединений в трехмерных ИС», J. -Q. Лу, К. Ли, Ю. Квон, Г. Раджагопалан, Дж. МакМахон, Б. Альтемус, М. Гупта, Э. Эйзенбраун, Б. Сюй, А. Джиндал, Р. Крафт, Дж. Макдональд, Дж. Кастракан, Т. Кейл, А. Калойерос и Р. Гутманн, на конференции Advanced Metallization Conference 2002, ред. Б.М. Мельник, Т.С. Кейл, С. Заима и Т. Охта, 18, 45, Общество исследования материалов (2002)

«Молекулярные межсоединения: использование нанотехнологий для терагерцовых межсоединений», А. Калойерос, Э. Эйзенбраун, Дж. Уэлч и Р. Гир, 9 лет0605 Semiconductor International (апрель 2002 г.)

«Схемы многофункциональной интеграции высокой плотности», J.-Q. Лу, Ю. Квон, Г. Раджагопалан, М. Гупта, Дж. МакМахон, К. Ли, Р. Крафт, Дж. Макдональд, Т. Кейл, Р. Гутманн, Б. Сюй, Э. Эйзенбраун, Дж. Кастракан, и А. Калойерос, в Proceedings of 2002 IEEE International Interconnect Technology Conference (IITC) , 78, (2002)

«Испытания характеристик теплового и электрического барьера сверхтонких материалов на основе тантала с атомно-слоевым осаждением для наноразмерной металлизации меди», O Ван дер Стратен, Ю.